自旋電子技術(shù)：超摩爾定律
講座主題：自旋電子技術(shù)：超摩爾定律
主講嘉賓：Johan ?kerman
日期：2016年7月29日（星期五）
時(shí)間：15:00-16:00
地點(diǎn)：道遠(yuǎn)樓理事會(huì)會(huì)議室
語(yǔ)言：英語(yǔ)
主講嘉賓簡(jiǎn)介：Johan ?kerman, 歌德堡大學(xué)實(shí)驗(yàn)物理學(xué)教授、瑞典皇家理工學(xué)院客座教授、NanOsc AB 和NanOsc Instruments AB兩家公司的創(chuàng)始人和首席執(zhí)行官、美國(guó)物理學(xué)會(huì)會(huì)士。Johan從事電子自旋技術(shù)研究15年，共發(fā)表200多 篇論文。他擁有瑞典皇家理工學(xué)院的博士學(xué)位，還在加州大學(xué)圣迭戈分校從事博士后研究，曾在摩托羅拉和飛思卡爾半導(dǎo)體公司工作，負(fù)責(zé)磁阻內(nèi)存研究。他的主要 項(xiàng)目均與自旋扭矩和自旋霍爾納米振蕩器有關(guān)，重點(diǎn)研究的是磁動(dòng)態(tài)解決方案、同步以及基于納米振蕩器神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的仿生計(jì)算。
講座簡(jiǎn)介：同當(dāng)前以信息載體的電荷為基礎(chǔ)的CMOS技術(shù)相比，自旋電子納米設(shè)備不僅依賴(lài)電子電量，還依賴(lài)其自旋，因而被視為克服傳統(tǒng)CMOS的 發(fā)熱和漏電弊端的可選技術(shù)。自旋電子設(shè)備在當(dāng)前高容量硬盤(pán)和新出現(xiàn)的磁阻內(nèi)存中已廣泛使用。同時(shí)，對(duì)于無(wú)線(xiàn)通訊中使用的自旋扭矩納米振蕩器以及自旋霍爾納 米振蕩器、基于自旋波的計(jì)算甚至神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)使用的自旋轉(zhuǎn)移扭矩磁阻內(nèi)存的研究和開(kāi)發(fā)力度也非常大。本次講座概要介紹超摩爾定律領(lǐng)域內(nèi)自旋電子技術(shù)的發(fā)展，著 重介紹磁阻內(nèi)存以及自旋扭矩納米振蕩器、自旋霍爾納米振蕩器。
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